北京邮电大学科学技术研究院
科研院通【2020】170号
2020年度北京市科学技术奖提名项目公示
根据《北京市科学技术奖励工作办公室/关于2020年度北京市科学技术奖提名工作的通知》要求，现将我校提名2020年度北京市科学技术奖自然科学奖项目氧化镓外延薄膜及深紫外传感器件基础研究进行公示，公示期：2020年10月19日至2020年10月25日。在公示期内，有异议者必须采用书面形式，写清异议的内容，并应署其姓名、联系方式(如需保密，请注明)。异议材料请交至科研院科技协作与成果部（教一楼503室）。
一、项目名称：氧化镓外延薄膜及深紫外传感器件基础研究
二、提名单位：北京邮电大学
三、提名意见：
超宽禁带半导体氧化镓是新型高频大功率电力电子器件和日盲紫外光电传感器件研发和生产的关键基础材料，是新一代半导体国际竞争的核心技术。该团队是国内最早关注、最早开展氧化镓材料研究的研究组之一，多年来聚焦氧化镓薄膜的生长、物性及器件领域国际前沿性、基础性研究和探索，取得了一系列创新性成果。国际上率先开展氧化镓高质量外延薄膜的生长及掺杂性能调控的关键科学和核心技术问题的系统研究，实现了氧化镓基日盲紫外探测分立及阵列器件，可以满足日盲紫外探测成像系统的应用，已经成为氧化镓光电器件领域代表性工作。该项目提出和发展新思想、新方法，丰富了氧化镓薄膜材料的理论和实践。其代表性论文发表在Appl. Phys. Lett.等重要学术期刊，5篇代表作被国际著名学者及其团队正面引用和采用850余次，引领了氧化镓薄膜及其相关光电器件领域发展。
提名该项目申报2020年度北京市自然科学奖一等奖/二等奖。
（其他公示内容见附件）
联系人：刘红
联系电话：62282052
邮 箱：liuhong@bupt.edu.cn
地 址：教一楼503室
科学技术研究院
2020年10月19日
氧化镓外延薄膜及深紫外传感器件基础研究-公示材料.pdf
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