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推荐北京市科学技术奖候选项目公示

日期:2018-03-27 点击数: 来源:通知公告

    我单位推荐下列项目申报2018年度北京市科学技术奖,特进行公示。公示期:2018年3月27日至2018年4月2日,公示期内如对公示内容有异议,请您向北京邮电大学科研院反映。

    联系人及电话:刘红 010-62282052

    一、项目名称:纳米结构材料光电特性与量子光学效应的理论及应用

    二、候选单位:北京邮电大学

    三、候 选 人: 1.俞重远;2.刘玉敏;3.叶寒;4.芦鹏飞;5.韩利红;

    6.张文;7.王东林;8.伍铁生;9.彭益炜;10.马申

    四、项目简介

    量子电子学和量子光学效应使得纳米结构材料作为新型微纳器件的基础构件,在纳米电子学、量子信息、生命科学等方面具有极其重要的应用前景和发展空间。长期以来,我们对纳米结构材料光电特性与量子光学效应进行了系统深入的研究。

    1.量子点-微腔相互作用。项目组在腔量子电动力学框架内,研究了量子点-双模微腔耦合系统的反常光子阻塞效应,提出了双模泵浦激励模型,并指出利用双模微腔可以实现高性能单光子源。研究了在磁场作用下的量子点与双模微腔耦合系统对脉冲激励的非线性响应、偏振敏感性,可用于光子级光开关和偏振转换。在偏振脉冲激励条件下,基于多路径量子干涉相消,首次实现了极少光子层次的全光逻辑器件。

    2.材料生长机制与光电特性。项目组研究了高品质半导体纳米材料的生长机制,提出了基于剩余应变能的全能量平衡判据,定量预测了量子点、纳米线无位错生长的临界尺寸。提出并研究了利用量子点应变场抑制衬底贯穿位错的机理,计算并预测了量子点能够抑制贯穿位错传播的区域。研究了应变、压电、组分分布、缺陷、掺杂、刻蚀等对纳米材料电子结构和光学特性的影响和调制作用;揭示了多元量子点和纳米线内部自发非均匀组分分布的形成物理机制。基于6带K·P理论研究了量子点、量子环的几何参数对基态能量、跃迁能等电子结构的影响。

    3.微纳光学材料结构设计与应用。项目组设计了新型光子带隙结构、光子晶体微腔、光子晶体波导结构,可以用于实现量子点-微腔强耦合系统;设计了用于超慢光传输的能带平坦的光子晶体波导。研究了基于金属表面等离子体波导的温度传感器结构,提出和设计了多种太阳能电池结构。

    (其他相关证明材料见附件)

    公示单位:北京邮电大学

    二〇一八年三月二十七日

    地址:北京市西土城路10号   邮编:100876

    电话: 010-62282042

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